北海道大学電子科学研究所【北海道大学電子科学研究所『利用可能な施設及び設備』】

北海道大学電子科学研究所『利用可能な施設及び設備』

電子科学研究所所属の共通機器です。ご利用の際はセンターにご相談ください。

<ニコンイメージングセンター>

※ 以下の機器はニコンイメージングセンター登録機器です。ニコンイメージングセンター経由でのご利用をお願いします。

管理組織	登録設備等名
ニコンイメージングセンター	顕微鏡室高速共焦点顕微鏡　ニコン　A1Rsi 全反射蛍光顕微鏡　（TIRF）リアルタイム共焦点顕微鏡多色蛍光タイムラプス顕微鏡超高速レーザー共焦点顕微鏡　ニコン　A1Rsi 多光子顕微鏡　ニコン　A1RMP 超解像顕微鏡　ニコン　N-SIM 日本分光: 自動蛍光偏光解消装置　FP-715 データ解析室ニコン: 画像解析ソフトウエア NIS-Elements 日本モレキュラーデバイス: 画像解析ソフトウェア MetaMorph 正晃テック：画像解析ソフトウエア AIVIA 細胞培養室ニコン: 倒立顕微鏡 TE-2000E PHCbi: 炭酸ガスインキュベータ MCO-20AIC PHCbi: クリーンベンチ MCV-B131F （*ただし細胞培養室の設備利用は、当センター利用者の一時的な利用に限定いたします）

管理組織

登録設備等名

ニコンイメージングセンター

顕微鏡室: 高速共焦点顕微鏡　ニコン　A1Rsi; 全反射蛍光顕微鏡　（TIRF）; リアルタイム共焦点顕微鏡; 多色蛍光タイムラプス顕微鏡; 超高速レーザー共焦点顕微鏡　ニコン　A1Rsi; 多光子顕微鏡　ニコン　A1RMP; 超解像顕微鏡　ニコン　N-SIM; 日本分光: 自動蛍光偏光解消装置　FP-715

データ解析室: ニコン: 画像解析ソフトウエア NIS-Elements; 日本モレキュラーデバイス: 画像解析ソフトウェア MetaMorph; 正晃テック：画像解析ソフトウエア AIVIA

細胞培養室: ニコン: 倒立顕微鏡 TE-2000E; PHCbi: 炭酸ガスインキュベータ MCO-20AIC; PHCbi: クリーンベンチ MCV-B131F

（*ただし細胞培養室の設備利用は、当センター利用者の一時的な利用に限定いたします）

<オープンファシリティ>

※ 以下の機器はオープンファシリティー登録機器です。オープンファシリティー経由でのご利用をお願いします。

設備(設備群)名	仕様
超高精度電子ビーム描画装置	エリオニクス社製 ELS-F125-U 加速電圧: 125kV 試料サイズ: 最大 6インチ
超高精度電子ビーム描画装置	エリオニクス社製 ELS-7000HM 加速電圧: 100kV 試料サイズ: 最大 6インチ
超高速スキャン電子線描画装置	エリオニクス社製 ELS-F130HM 加速電圧: 130kV 試料サイズ: 最大 8インチ
マスクアライナ	ミカサ社製 MA-20 コンタクト露光試料サイズ: 最大 4インチマスクサイズ: 最大 5インチ
レーザー直接描画装置	ネオアーク社製 DDB-201 光源: 375nm 半導体レーザー描画エリア: 最大 50mm 試料サイズ: 最大５インチ
真空蒸着装置	サンバック社製 ED-1500R 蒸着源: 抵抗加熱3元、EB3元基板加熱可
プラズマCVD装置	サムコ社製 PD-220ESN 試料種類:SiO₂、SiN_x 試料サイズ: 最大 4インチ
液体ソースプラズマCVD装置	サムコ社製 PD-10C1 試料種類: SiO₂ 他キャリアガス: N₂、 He、 Ar、 H₂ 試料サイズ: 最大 3インチ
ヘリコンスパッタリング装置	アルバック社製 MPS-4000C1/HC1 試料種類: 3元、Au、Ag、Cr、 Ti、 SiO₂ 他試料サイズ:最大 4インチ
イオンビームスパッタ装置	アルバック社製 IBS-6000 試料種類: ４元、Ni、 Cr、SiO₂、W-Si 他試料サイズ: Φ50mm、　厚さ最大20mm
原子層堆積装置	ピコサン社製 SUNALE-R 試料種類: SiO₂、 TiO₂、 Al₂O₃、 Nb₂O₅ 他試料サイズ: 最大 6インチ
反応性イオンエッチング装置	サムコ社製 RIE-101iPH 使用ガス: SF₆、C₄F₈、 CF₄、 Ar、 O₂、 CHF₃、 C₃F₈ 試料サイズ: 最大4インチ
ICP高密度プラズマエッチング装置	サムコ社製 RIE-101iHS 使用ガス: Ar、 O₂、 Cl₂、 BCl₃ 試料サイズ: 最大4インチ
反応性イオンエッチング装置	サムコ社製 RIE-10NRV 使用ガス: CF₄、Ar、O₂、CHF₃ 試料サイズ: 最大 8インチ
ドライエッチング装置	アルバック社製: NLD-500 使用ガス: SF₆、 C₄F₈、 CHF₃、 Ar、 O₂ 試料サイズ: 最大 4インチ
イオンミリング装置	アルバック社製 IBE-6000S 使用ガス: Ar 試料サイズ: 最大 4インチ
真空紫外露光装置	エヌ工房フォトクリエーターPC-01-H 試料サイズ: 最大１インチ
コンパクトスパッタ装置	アルバック社製 ACS-4000-C3-HS 試料種類: SiO₂、Au、Cr等基板サイズ: 10mm～4インチ(リフトオフ仕様では25mm角まで) 基板加熱機構有り(～550°C)
半導体薄膜堆積装置	パスカル製パルスレーザー堆積装置レーザー光源: 248nm 基板サイズ: 最大 2インチ成膜材料: TiO₂、STO など RHEED 装備
収差補正走査型透過電子顕微鏡	日本電子製: JEM-ARM200F 加速電圧: 80kV、200kV 分析機能: EDS、ELLS STEM 収差補正機能
超薄膜評価装置(走査型透過電子顕微鏡)	日立ハイテク製 HD-2000 加速電圧: 200kV 分析機能: EDS
集束イオンビーム加工装置	日立ハイテク製 FB-2100 加速電圧: 10kV～40kV マイクロサンプリング機構あり
イオン研磨装置	Gatan 製 PIPSII 加速電圧 0.1kV～6kV 試料冷却ステージ
X線光電子分光装置	日本電子製 JPS-9200 標準X線源 Mg/Al ツインアノードモノクロX線源分解能 0.65eV(モノクロX線源)
時間分解光電子顕微鏡システム	Elmitec 社製 PEEM+フェムトレーザー社 Rainbow 空間分解能: 4nm 時間分解能: 7fs 以下収差補正機能付き
高分解能X線回折装置	ブルカー製 D8 Discover 2次元検出器(Hi-star)装備
粉末X線回折装置	リガク製 RINT-2000 低温ユニット有り
高分解能電界放射型走査型電子顕微鏡	日本電子社製 JSM-6700FT EDS 機能、2 探針マイクロプローブ装備試料サイズ:X 48mm、 Y 38mm、厚さ 10mm以下
太陽電池評価システム	ワコム電創社製 WXS-156S-L2、AM1.5GMM JIS、IEC規格準拠 CLASS AAA 照射強度: 1(sun) 基板サイズ: 最大 6インチ
紫外可視近赤外分光光度計	パーキンエルマー製 Lambda900 反射測定ユニットあり
赤外分光光度計(FT-IR)	日本分光 FT-IR660 真空ユニット、多重反射 ATR、RAS ユニット、液体セル装備
原子間力顕微鏡	JEOL 製 JSPM-4200
超高分解能走査型電子顕微鏡	日立ハイテク製 SU-8230 加速電圧: 0.1～30 kV 分析機能: EDS 冷陰極電界放射型電子銃(ColdFE)
多元スパッタ装置	アルバック社製 QAM-4-ST 試料種類：４元（DC３元まで、RF２元まで）Au、Cr、Ag、Cu、SiO₂他試料サイズ：斜入射Φ4インチ、対向：25mm角逆スパッタ、Coスパッタ可能
シリコン深堀りエッチング装置	SPPテクノロジーズ社製 APX-ASE-Pegasus-Polestar 使用ガス：SF₆、C₄F₈ 試料サイズ：小片～Φ4インチ
電子ビーム蒸着装置	エイコーエンジニアリング社製 EB-580S 蒸着源：Au、Ti、Al、Cu、Nb 基板加熱可（600℃まで）水晶振動式膜厚計
レーザー顕微鏡	キーエンス社製 VK-9700/9710 対物レンズ：x10、ｘ20、ｘ50、ｘ150 レーザー波長：408nm
UV-オゾンクリーナー	サムコ社製 UV-1 サンプルステージ：φ200mm(Al製) 最大サンプル厚さ：10mm ステージ温度：室温～Max.300℃(抵抗加熱方式) 紫外線ランプ：低圧水銀ランプ１本(110W)，波長：254nm(～85%) および185nm(～15%)
光学干渉式膜厚計	フィルメトリクス社製 F20-UV 測定波長範囲：190 – 1100nm 膜厚測定範囲：1nm – 40μm（正確性は膜厚の±0.2%）測定スポット径：1.5mm もしくは0.5mm 光源：重水素・ハロゲン
原子層堆積装置（粉末対応型）	ピコサン社製 R-200 advanced 成膜材料：アルミナ、チタニア（酸化剤は水のみ）対応基板：8インチまで粉末材料用ユニット（サンプルカードリッジ、超音波分散システム）多孔質材料成膜モード有り
レーザー描画装置	ハイデルベルグ社製 DWL66+ 光源波長：405nm 最大描画エリア：200x200mm² 基板厚み：0-12mm 最小線幅：0.8μm（ライトモードⅡ) 描画速度：40mm² /min（ライトモードⅡ） 255階調グレースケール露光機能あり

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