Talks on Two Leading Principles in Semiconductor Research and Recent Solar Cell Research at LBNL

Walukiewicz 博士は日本でもよく知られた研究者ですが、特に、半導体への一般的なドーピング限界を与える「両極性真性欠陥モデル」、大きなバンドボウイングを示す希薄窒化物半導体の「バンド反交差モデル」では世界的に有名です。今回北大に来られる機会に、これらのモデルの概要とその応用、ならびに最近ローレンス・バークレー国立研究所で彼のグループが進めている窒化物半導体による太陽電池の研究について講演していただきますので、ご聴講御願いいたします。

Dr. Walukiewicz is a famous researcher, especially with his two leading models: “amphoteric native defect model” which shows general principle of heavy doping limits in III-V, II-VI, and Nitride semiconductors, and “band anti-crossing model” which explains the large band-gap bowing and is now a leading model of dilute-nitride semiconductor devices. His talk will include the basic idea of these two models and their applications as well as their recent work on nitride solar cell research.