■日時
2024年8月8日(木) 14:00 – 15:00
■会場
北海道大学 電子科学研究所 北キャンパス5号館1階 セミナー室1-2
■開催方法
対面のみ
■講演者
竹延 大志 教授
■所属
名古屋大学大学院 工学研究科
■講演題目
原子層物質を用いた物性開拓と機能開発
■講演要旨
グラファイトの単層膜に相当するグラフェンの作製と物性研究にノーベル物理学賞が2010年に贈られたことを皮切りに『原子層材料』と呼ばれる層状物質の単層膜が大いに注目されている。特に、Ⅵ族遷移金属ダイカルコゲナイド（MX2, M = Mo or W, X = S or Se）は多層試料の間接遷移型半導体が、単層試料では直接遷移型半導体となるため2次元半導体応用や発光材料応用を目指した基礎・応用研究が極めて活発に行われている。我々のグループでは、遷移金属ダイカルコゲナイドの単層膜を、 電解質に特徴的な電気二重層を用いた高密度ドーピングやプラスチック基板を用いた歪効果と組み合わせ、物性開拓と機能開発に取り組んでいる。講演では、最新の成果を紹介しつつ参加者の皆さんと原子層材料の可能性について議論したい。
■共催
応用物理学会北海道支部
■連絡先
北海道大学 電子科学研究所 附属グリーンナノテクノロジー研究センター 薄膜機能材料研究分野
